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数据表
RDAC架构
为实现最佳性能， ADI公司，拥有
专利的RDAC分段架构的所有数字
电位器。特别地，
AD5111/AD5113/AD5115
采用两阶段分割方法如图
图42.
AD5111/AD5113/AD5115
雨刮开关
设计为与传输门的CMOS拓扑结构，并与
从V派生的栅极电压
DD
.
A
TS
B
R
L
AD5111/AD5113/AD5115
编程可变电阻
变阻器操作 - ± 8 ％电阻容差
该
AD5111/AD5113/AD5115
工作在可变电阻器模式时，
只有两个端子被用作可变电阻器。未使用
终端可以漂浮或绑在W端子所示
图43 。
A
W
A
W
A
W
09654-044
B
B
图43.变阻器模式配置
R
L
R
S
W
R
S
5-BIT/6-BIT/7-BIT
地址
解码器
R
L
A端和B端之间的标称电阻，
R
AB
是在5千欧， 10千欧可用， 80千欧和具有128/64/32
挖掘的雨刮器终端访问点。 5- / 6- / 7位数据
在RDAC锁存器译码选择128/64/32之一
可能的雨刮器的设置。确定的一般公式
在W之间的数字编程输出电阻
端和B端的
AD5111 ：
R
WB
½
R
BS
R
WB
(
D
)
½
BS
底部刻度（ 1 ）
D
R
AB
R
W
128
R
L
从0到128 （2）
AD5113 ：
B
09654-043
R
WB
½
R
BS
R
WB
(
D
)
½
D
R
AB
R
W
64
底部刻度（ 3 ）
从0到64 （ 4 ）
图42 。
AD5111/AD5113/AD5115
简体RDAC电路
低游标电阻特性
此外，该
AD5111/AD5113/AD5115
包括一个新的
特征，以减少端子间的电阻。这些额外的
步骤称为底规模和最高刻度。在底部的规模，
典型触点电阻下降，从70 Ω至45 Ω 。顶部
规模化，终端A和终端W之间的电阻
下降了1个LSB和总电阻减小到70 Ω 。
额外的步骤是不等于1个LSB和不包括在
该DNL和INL， R- INL和R- DNL规格。
AD5115 ：
R
WB
½
R
BS
R
WB
(
D
)
½
D
R
AB
R
W
32
底部刻度（ 5 ）
从0到32 （ 6 ）
其中：
D
是的二进制代码，在5 / 6 / 7位十进制等效
RDAC寄存器; 128 ， 64和32指的是顶端规模步骤。
R
AB
是端至端电阻。
R
W
是抽头电阻。
R
BS
位于底部的规模滑动端电阻。
启示录
A
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