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纳米的ProASIC3 DC和开关特性
表2-75
RAM512X18
商业案例的条件：T已
J
= 70 ° C，最差情况下的VCC = 1.425 V
参数
t
AS
t
AH
t
ENS
t
ENH
t
DS
t
DH
t
CKQ1
t
CKQ2
t
C2CRWH1
t
C2CWRH1
t
RSTBQ
t
REMRSTB
t
RECRSTB
t
MPWRSTB
t
CYC
F
最大
注意事项：
1。有关详细信息，请参阅应用笔记
在双端口SRAM的闪烁同步读写操作
基于cSoCs和FPGA 。
2.对于具体的结点温度和电压供应水平，见表3-6 3-4页的降额值。
描述
地址建立时间
地址保持时间
任，温建立时间
任，温保持时间
输入数据（ WD ）建立时间
输入数据（ WD ）保持时间
时钟高到新的数据有效的RD （输出保持）
时钟高到新的数据有效的RD （流水线）
–2
–1
标准。单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0.25 0.28 0.33
0.00 0.00 0.00
0.09 0.10 0.12
0.06 0.07 0.08
0.18 0.21 0.25
0.00 0.00 0.00
2.16 2.46 2.89
0.90 1.02 1.20
地址冲突CLK到CLK延迟后写上相同的0.50 0.43 0.38可靠的读取访问
地址;适用于开刃
地址冲突CLK到CLK延迟可靠的写入权限读取相同的0.59 0.50 0.44后
地址;适用于开刃
RESET对RD （流通）低到数据输出低
RESET低到数据输出低的RD （流水线）
复位清除
复位恢复
重置最小脉冲宽度
时钟周期时间
最大频率
0.92 1.05 1.23
0.92 1.05 1.23
0.29 0.33 0.38
1.50 1.71 2.01
0.21 0.24 0.29
3.23 3.68 4.32
310
272
231兆赫
2- 64
EV我SIO N + 1 1
