位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第0页 > A3PN030ZQNG100I > A3PN030ZQNG100I PDF资料 > A3PN030ZQNG100I PDF资料1第35页

纳米的ProASIC3快闪FPGA
表2-25
施密特触发器输入迟滞
滞后电压值(典型值)的施密特模式输入缓冲器
输入缓冲器配置
3.3 V LVTTL / LVCMOS (施密特触发模式)
2.5 V LVCMOS (施密特触发模式)
1.8 V LVCMOS (施密特触发模式)
1.5 V LVCMOS (施密特触发模式)
表2-26
I / O输入上升时间,下降时间,以及相关的I / O的可靠性
输入缓冲器
LVTTL / LVCMOS
(施密特触发器
禁用)
LVTTL / LVCMOS
(施密特触发器
启用)
输入上升/下降时间(分钟)
无要求
输入上升/下降时间(最大)
10纳秒*
可靠性
20年( 100℃)
滞后值(典型值)。
240毫伏
140毫伏
80毫伏
60毫伏
无要求
没有要求,但输入
噪声电压不能超过
施密特迟滞
20年( 100℃)
注意:
最大输入的上升/下降时间与感应到输入缓冲器跟踪的噪声。如果
噪音低,则上升时间和输入缓冲器的下降时间可以增加超出
最大值。的上升/下降时间越长,越容易受到输入信号的
电路板的噪声。 Microsemi的推荐系统的信号完整性评估/表征
确保没有过大的噪声耦合到输入信号。
EV我SI O 4 N 1 1
2- 21