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2 - 纳米的ProASIC3 DC和开关特性
一般特定网络阳离子
Z轴功能等级不支持施密特触发输入，冷备用的增强型纳米特性，
和热插拔I / O能力。参阅
"ProASIC3纳米三页的订购Information"节
为
更多的信息。
DC和-F速度等级目标的开关特性只是基于仿真。
规定的-F速度等级的特点受到FPGA建立后改变
规格。一些限制可能会增加，并会反映在这个未来的版本
文档。该-F速度等级仅在商用温度范围的支持。
工作条件
强调超越那些上市
表2-1
可能对器件造成永久性损坏。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值的压力额定值只;该器件在这些或任何功能操作
超越那些在规定的推荐工作条件列出的其他条件
表2-2第2-2页
是不是暗示。
表2-1
绝对最大额定值
符号
VCC
VJTAG
VPUMP
VCCPLL
VCCI
VI
T
STG 1
T
J 1
注意事项：
1.对于闪存编程和保持最高限额，是指
表2-3第2-2页，
并推荐工作
的限制，是指
表2-2第2-2页。
2. VMV引脚都必须连接到相应的VCCI引脚。见
"VMVx I / O电源电压（安静） "节
第3-1页
了解更多信息。
3.设备应当由数据表中规定的限制范围内进行操作。在转换过程中，输入信号可
根据如图所示的范围下冲或过冲
表2-4 2-3页。
参数
DC内核电源电压
JTAG直流电压
编程电压
模拟电源（ PLL ）
DC I / O输出缓冲器的电源电压
I / O输入电压
储存温度
结温
范围
-0.3 1.65
-0.3 3.75
-0.3 3.75
-0.3 1.65
-0.3 3.75
0.3 V至3.6 V
-65到+150
+125
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
EV我SI O 4 N 1 1
2 -1
