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纳米的ProASIC3 DC和开关特性
2.5 V LVCMOS
低电压CMOS 2.5 V是标准的LVCMOS （ JESD8-5 ）的用于一般的扩展
用2.5 V的应用程序。
表2-38
最小和最大DC输入和输出电平
2.5 V LVCMOS
驱动强度
2毫安
4毫安
6毫安
8毫安
注意事项：
1. IIL为每个I / O引脚的输入漏电流在推荐的操作条件下-0.3 V < VIN < VIL 。
2. IIH为每个I / O引脚的输入漏电流超过推荐工作条件VIH < VIN < VCCI 。输入电流
更大的操作之外时，推荐范围。
3.电流是在高温下（100℃的结温）和最大电压测量。
4.电流都在85℃的结温测量。
灰色5.软件默认选择高亮显示。
VIL
分钟。
V
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
马克斯。
V
0.7
0.7
0.7
0.7
分钟。
V
1.7
1.7
1.7
1.7
VIH
马克斯。
V
3.6
3.6
3.6
3.6
VOL
马克斯。
V
0.7
0.7
0.7
0.7
VOH
分钟。
V
1.7
1.7
1.7
1.7
IOL IOH
mA
2
4
6
8
mA
2
4
6
8
IOSL
马克斯。
mA
3
16
16
32
32
劳研
马克斯。
mA
3
18
18
37
37
IIL
1
A
4
10
10
10
10
IIH
2
A
4
10
10
10
10
测试点
数据通路
35 pF的
R=1k
测试点
启用路径
R键VCCI在t
LZ
/ t
ZL
/ t
ZLS
R键GND对于T
HZ
/ t
ZH
/ t
ZHS
35 pF对于吨
ZH
/ t
ZHS
/ t
ZL
/ t
ZLS
35 pF对于吨
HZ
/ t
LZ
图2-7
交流负载
表2-39
2.5 V LVCMOS AC波形，测量点和容性负载
输入低电压（ V）
0
注意事项：
1.测量点= VTRIP 。看
表2-16 2-17页
为触发点的完整表格。
2.容性负载的A3PN060 ， A3PN125和A3PN250为35 pF的。
输入高电平（ V）
2.5
测量点* （ V）
1.2
C
负载
（PF ）
10
2- 30
EV我SIO N + 1 1
