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ACCU -F
/的Accu -P
薄膜技术
与理想的电容
一个真正的电容的非理想特性可以是
忽略在低频。物理尺寸赋予电感
到电容器和电介质和金属电极产生
电阻损耗，但这些往往是对的影响可忽略不计
电路。在无线通信的频率非常高
（ >100MHz ）和卫星系统（ >1GHz ） ，这些影响
变得重要。认识到一个真正的电容将
显示出除了电感和电阻的阻抗
电容，理想的电容器，这些高频率是
超低损耗部件可完全表征
在总重复性装置与装置的所有参数。
直到最近，大多数高频/微波电容器
是基于烧制陶瓷（陶瓷）技术。层
陶瓷电介质材料和金属合金电极浆料
被交错，然后在高温炉中烧结。
这项技术表现出绝缘部件的变化
质量（损耗，介电常数，绝缘电阻） ，
变性电极的导电性和变异性的物理
尺寸（影响电感） 。另一种薄膜技术
已经开发了几乎消除了这些VARI-
元代。这是这一技术已被全部并入
成的Accu -F
和ACCU -P
提供高频电容
器表现出真正理想的特性。
中的Accu -F的主要特点
和ACCU -P
可能是summa-
授权的，如下所示：
高纯度的电极，用于非常低的和可重复
ESR 。
高纯度，低k电介质的高击穿场，
高绝缘电阻和低损失频率
40GHz的上面。
非常严格的尺寸控制的统一感，
单位为单位。
非常严格的公差电容用于高频
信号应用。
这样的精度设置除了这些薄膜电容器
陶瓷电容器，使得该术语的Accu一直
作为指定该系列器件中，对
缩写“准确”。
薄膜技术
薄膜技术在制造半常用
导体器件。在过去的二十年中，该技术
已开发巨大，无论在性能和
过程控制。今天的技术使线的定义
1μm以下，并且层的厚度在100埃的控制
(10
-2
微米） 。应用该技术来制造
电容器，使组件的开发
其中，电气和物理性质可以是紧紧
控制。
在AVX的薄膜生产设备包括：
1000级洁净室，根据工作区
100级层流罩， （低于100粒
每立方英尺大于0.5μm的大） 。
高真空金属沉积系统为高纯度
电极结构。
光刻设备行定义下来
2.0微米的精度。
等离子体增强化学气相沉积各种介质沉积
行动（ CVD =化学气相沉积） 。
高精度，微处理器控制的切割锯
芯片分离。
高速，高精度分选，以确保严格
宽容的坚持。
1
终止
矾土
电极
SEAL
电极
电介质
矾土
ACCU -P
电容
6
