MT4S32U
微波特性
（大
=
25°C)
特征
跃迁频率
插入增益
符号
f
T
| S21e | （1）
| S21e | （2）
噪声系数
NF(1)
NF(2)
2
2
测试条件
V
CE
=
3 V，I
C
=
10毫安
V
CE
=
3 V，I
C
=
10毫安，女
=
1 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
10毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
3毫安，女
=
1 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
3毫安，女
=
2 GHz的
民
13
16.5
11.5
典型值。
16
19
13.5
1.0
1.4
最大
21.5
16.5
1.4
1.8
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
=
8 V，I
E
=
0
V
EB
=
1 V，I
C
=
0
V
CE
=
3 V，I
C
=
10毫安
V
CB
=
3 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
（注）
民
50
典型值。
0.4
0.2
最大
1
1
150
0.65
0.45
单位
A
A
pF
pF
注意：
C
re
由3端子法与电容电桥测量。
注意：此设备静电感度。请谨慎操作。
2000-09-11
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