BU48xx系列
BU49xx系列
数据表
“绝对
最大额定值
参数
符号
范围
单位
电源电压
V
DD
-0.3到+7
V
N沟道开漏输出
GND - 0.3 + 7
输出电压
V
OUT
V
CMOS输出
GND - 0.3 V
DD
+0.3
输出电流
Io
70
mA
*1*4
SSOP5
540
动力
*2*4
SOP4
Pd
400
mW
耗散
*3*4
VSOF5
210
工作温度范围
T
选择
-40到+125
°C
保存环境温度
TSTG
-55到+125
℃
* 1在温度比用钽较高时= 25 ℃时，功率由5.4mW每1 ℃降低了25℃以上。
* 2在温度比用钽较高时= 25 ℃时，功率由4.0mW时每1 ℃降低了25℃以上。
* 3在温度比用钽较高时= 25 ℃时，功率由2.1mW每1 ℃降低了25℃以上。
* 4当ROHM的标准电路板（ 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米，玻璃环氧树脂板）安装。
ⅵELECTRICAL
特征
参数
符号
条件
V
DD
= H L ，TA = 25 ℃ ，R
L
=470k
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至125°C
*1
VDET=1.8V
VDET=2.5V
检测电压
V
DET
VDET=3.0V
VDET=3.3V
VDET=4.2V
检测电压
温度COEF网络cient
滞后电压
V
DET
/ ΔT TA = -40 ℃至125℃
V
DD
= L H L
TA = -40 ℃至125℃
R
L
=470k
分钟。
V
DET
(T)
×0.99
1.782
1.741
1.731
2.475
2.418
2.404
2.970
2.901
2.885
3.267
3.191
3.173
4.158
4.061
4.039
-
范围
典型值。
V
DET
(T)
1.8
-
-
2.5
-
-
3.0
-
-
3.3
-
-
4.2
-
-
±30
V
DET
×0.05
V
DET
×0.05
马克斯。
V
DET
(T)
×1.01
1.818
1.860
1.870
2.525
2.584
2.597
3.030
3.100
3.117
3.333
3.410
3.428
4.242
4.341
4.364
-
V
DET
×0.08
V
DET
×0.07
单位
V
PPM / °
V
DET
≤1.0V
V
DET
≥1.1V
V
DET
V
DET
×0.03
V
DET
×0.03
V
* 1通过设计保证。 （去检查是不是对所有的产品进行。 ）
V
DET
（T ） ：标准检测电压（ 0.9V至4.8V ， 0.1V步）
R
L
：上拉电阻连接V之间
OUT
和电源。
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5/13
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22.May.2013 Rev.008
