BD52xx系列
BD53xx系列
数据表
“绝对
最大额定值
参数
电源电压
N沟道开漏输出
输出电压
CMOS输出
输出电流
*1*3
SSOP5
动力
*2*3
耗散
VSOF5
工作温度
保存环境温度
符号
V
DD
-GND
V
OUT
Io
Pd
TOPR
TSTG
范围
-0.3至+10
GND - 0.3 + 10
GND - 0.3 V
DD
+0.3
80
540
210
-40到+105
-55到+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
* 1使用超过25℃时减少由5.4mW / ℃。
* 2使用超过25℃时减少由2.1mW / ℃。
* 3当安装在ROHM标准电路板（ 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米，玻璃环氧树脂板） 。
ⅵELECTRICAL
特性（除非另有说明TA = -40至105 ° C）
参数
符号
条件
V
DD
= H L ，R
L
=470k
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至105℃
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至105℃
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至105℃
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至105℃
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
*1
VDET=2.5V
分钟。
V
DET
(T)
×0.99
2.475
2.418
2.404
2.970
2.901
2.885
3.267
3.191
3.173
4.158
4.061
4.039
4.752
4.641
极限
典型值。
V
DET
(T)
2.5
-
-
3.0
-
-
3.3
-
-
4.2
-
-
4.8
-
-
0.80
0.85
0.90
0.95
0.75
0.80
0.85
0.90
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
V
DET
(T)
×1.01
2.525
2.584
2.597
3.030
3.100
3.117
3.333
3.410
3.428
4.242
4.341
4.364
4.848
4.961
4.987
2.40
2.55
2.70
2.85
2.25
2.40
2.55
2.70
-
-
0.5
0.5
-
-
-
单位
VDET=3.0V
检测电压
V
DET
VDET=3.3V
V
VDET=4.2V
VDET=4.8V
TA = 85 ° C至105℃
4.616
V
DET
=2.3-3.1V
-
V
DET
=3.2-4.2V
-
电路电流时的开
I
DD
1
V
DD
=V
DET
-0.2V
V
DET
=4.3-5.2V
-
V
DET
=5.3-6.0V
-
V
DET
=2.3-3.1V
-
V
DET
=3.2-4.2V
-
短路电流OFF时
I
DD
2
V
DD
=V
DET
+2.0V
V
DET
=4.3-5.2V
-
V
DET
=5.3-6.0V
-
V
OL
≤0.4V,
TA = 25 105 ° C，R
L
=470k
0.95
工作电压范围
V
OPL
V
OL
≤0.4V,
钽= -40至25° C，R
L
=470k
1.20
V
DD
=
1.5V
, I
SINK
=
0.4毫安，V
DET
=2.3-6.0V
-
“低”输出电压（ NCH）
V
OL
V
DD
=
2.4V
, I
SINK
=
2.0毫安，V
DET
=2.7-6.0V
-
V
DD
=
4.8V
, I
来源
=
0.7毫安
,
V
DET
（ 2.3V至4.2V ） VDD - 0.5
“高”输出电压（ P沟道）
V
OH
V
DD
=6.0V,
I
来源
=
0.9毫安
,
V
DET
（ 4.3V至5.2V ） VDD - 0.5
V
DD
=8.0V,
I
来源
=
1.1毫安
,
V
DET
（ 5.3V至6.0V ） VDD - 0.5
V
DET
（T ） ：标准检测电压（ 2.3V至6.0V ， 0.1V步）
R
L
：上拉电阻连接V之间
OUT
和电源。
设计保证。 （出厂检验是不是对所有的产品进行。 ）
* 1保证在Ta = 25 ℃。
A
A
V
V
V
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4/13
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22.May.2013 Rev.006
