BD3570FP / HFP ， BD3571FP / HFP ， BD3572FP / HFP ， BD3573FP / HFP
BD3574FP / HFP ， BD3575FP / HFP
产量
电压调整
Vo
技术说明
R2
设置输出电压插入下拉电阻R1的ADJ与GND引脚之间，
和上拉电阻器R2在V之间
O
和ADJ引脚。
沃= VADJ × （R1 + R2）/ R1 〔V〕
½VADJ=1.26V(TYP.)½
为ADJ -GND推荐的连接电阻30K ＆ frac12 ; 150k欧姆。
ADJ
R1
Fig.22
●环境
热火
TO252-3
2.0
IC安装在ROHM标准板
基板尺寸： 70毫米
70 mm
1.6 mm
θJA
= 104.2 （ ° C / W）
TO252-5
2.0
IC安装在ROHM标准板
基板尺寸： 70毫米
70 mm
1.6 mm
θJA
= 96.2 （ ° C / W）
HRP5
2.0
1.6 W
IC安装在ROHM标准板
基板尺寸： 70毫米
70 mm
1.6 mm
θJA
= 78.1 （ ° C / W）
功耗： PD [ W]
功耗： PD [ W]
1.2 W
1.2
1.3W
1.2
功耗： PD [ W]
1.6
1.6
1.6
1.2
0.8
0.8
0.8
0.4
0.4
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度：T已
a
[°C]
环境温度：T已
a
[
℃
]
环境温度：T已
a
[°C]
图。 23
图。 24
图。 25
参见图中示出的热缓解特性。 23 ， 24和25时的环境中，其中T使用IC
a
≧25℃.
该集成电路的特性由操作温度的影响很大。如果温度超过
最高结温度T
JMAX
中，集成电路的元件可能劣化或损坏。这是必要的，得到
充分考虑到IC中的视图的两个点，即从瞬时损坏IC的保护热
和IC的在长时间运转的可靠性的维护。
为了保护IC免受热损坏，需要操作该集成电路不超过最大结点的
温度T
JMAX
。图。图23示出用于TO252封装的电力消耗/热缓和特性。操作
功耗钯内的IC 。下面的方法用于计算功率消耗量P
C
(W).
VCC：输入电压
VO：输出电压
IO：负载电流
ICC ：总电源电流
P
C
=(V
CC
-V
O
)×I
O
+V
CC
×I
CC
消耗功率PD ≦ P
C
负载电流I
O
得到的功率耗散内操作的集成电路。
PD -V
CC
×I
CC
IO =
（有关我的详细信息
CC
，请参见第12页）
V
CC
-V
O
的最大负载电流I
OMAX
对于所施加的电压V
CC
可以在热设计过程来计算。
·计算
例子
例如： BD3571FP V
CC
= 12 V和V
O
= 5 V在T
a
= 85℃
I
O
≦
0.624-12×I
CC
12-5
(I
CC
=30μA)
θ
ja
=104.2℃/W→-9.6mAW/℃
25℃=1.2W→85℃=0.624W
I
O
≦
89mA
使在考虑到上述的热的计算，使得整个操作温度范围内将内
功耗。
在IC中的短路（即事件的功耗电脑，如果在V
O
和GND管脚短路。）将得自
下面的等式。
PC = V
CC
×(I
CC
+ I短路）
ISHORT =短路电流
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