RoHS指令
MMBT9015LT1
PNP外延硅晶体管
SOT-23
低FREQRENCY ，低噪声放大器
3
补
到MMPT9014LT1
集电极电流IC = -100mA
集电极Emiller电压： V
CE
=-45V
1
2
1.
2.4
1.3
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TA = 25℃ *
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极击穿电压＃
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
W
基射极电压上
输出电容
电流增益带宽积
噪声系数
J
E
E
C
E
L
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
R
T
V
EBO
Ic
T
j
P
D
T
英镑
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
O
N
-50
-50
600
C
I
等级
-50
-45
-5
-100
225
150
-55~150
V
V
V
nA
nA
V
V
V
PF
dB
C
O
0.4
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
2.9
1.9
L
,
.
单位：mm
D
T
0.95
0.95
（ TA = 25℃ ）
o
单位
V
V
V
mA
mW
O
O
C
C
（ TA = 25℃ ）
o
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-50
-45
-5
条件
I
C
= -100 A I
E
=0
I
C
= -1mA我
B
=0
I
E
= -100 A I
C
=0
V
CB
=-50V, V
C
=0
V
CB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=1mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
V
C
e
= -5V ，我
C
=-2mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 0，F = 1MHz的
V
CE
= -5V我
C
=-0.2mA
F = 1MHz的卢比= 1千欧姆
60
200
-0.20 -0.7
-0.82
-1.0
-0.6 -0.67 -0.75
4.5
100 190
0.7
10
7
C
ob
f
T
兆赫V
CE
= -5V我
C
=-10mA
NF
*器件总功耗： FR = 1X0.75X0.062在局减额
25 C
#
脉冲测试：脉冲宽度300US占空比2 ％
器件标识：
MMBT9015LT1=M6
o
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