的ProASIC
PLUS
闪存系列FPGA
异步SRAM写
WADDR
WRB ， WBLKB
DI
WPE
tAWRS
tAWRH
tDWRH
tWPDA
tDWRS
tWRML
tWRCYC
注意：
该图显示了正常的运行状态。
图1-33
异步SRAM写
表1-52
T
J
= 0 ℃110 ℃; V
DD
= 2.3 V至2.7 V的商业/工业
T
J
= -55 ° C至150° C，V
DD
= 2.3 V至2.7 V的军事/ MIL -STD- 883B
符号为T
xxx
AWRH
AWRS
DWRH
DWRS
DWRS
WPDA
WPDH
WRCYC
WRMH
WRML
描述
从WB WADDR持有
↑
WADDR设置为WB
↓
从WB DI保持
↑
DI设置为WB
↑
DI设置为WB
↑
从DI WPE访问
WPE从DI举行
周期
WB高相
WB低相位
7.5
3.0
3.0
分钟。
1.0
0.5
1.5
0.5
2.5
3.0
1.0
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tWPDH
tWRMH
笔记
PARGEN是不活动的。
PARGEN是活动的。
WPE是无效的，而PARGEN是
活跃的。
待用
活跃
注意：
所有-F速度等级的器件比标准号慢20 ％ 。
v5.2
1-57
