的ProASIC
PLUS
闪存系列FPGA
表1-39
最坏情况下的军事条件
V
DDP
= 3.0V, V
DD
= 2.3V ，T
J
= 125 ℃，军事/ MIL -STD- 883
马克斯。牛逼
INYH1
宏类型
GL33
GL33S
PECL
注意事项：
1.
2.
3.
4.
t
INYH
=输入焊盘与-Y高
t
INYL
=输入焊盘与-Y LOW
LVTTL的延迟是相同的CMOS延迟。
对于LP宏，V
DDP
= 2.3V延误。
描述
3.3V ， CMOS输入电平
3
，无拉电阻
3.3V ， CMOS输入电平
3
，没有上拉电阻，施密特触发器
PPECL输入电平
标准。
1.1
1.1
1.1
马克斯。牛逼
INYL2
标准。
1.1
1.1
1.1
表1-40
最坏情况下的军事条件
V
DDP
= 2.3V, V
DD
= 2.3V ，T
J
= 125 ℃，军事/ MIL -STD- 883
马克斯。牛逼
INYH1
宏类型
GL25LP
GL25LPS
注意事项：
1.
2.
3.
4.
t
INYH
=输入焊盘与-Y高
t
INYL
=输入焊盘与-Y LOW
LVTTL的延迟是相同的CMOS延迟。
对于LP宏，V
DDP
= 2.3V延误。
描述
2.5V ， CMOS输入电平
3
低功耗
2.5V ， CMOS输入电平
3
低功耗，施密特触发器
标准。
1.0
1.4
马克斯。牛逼
INYL2
标准。
1.1
1.0
v5.2
1-49
