TDSG / O / Y11 ..
威世半导体
参数
浪涌正向电流每
段或DP
测试条件
t
p
≤
10
s
（不重复）
部分
TDSO1150
TDSO1160
TDSY1150
TDSG1150
TDSG1160
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻LED
结/环境
t
≤
3秒的2mm以下的座位
飞机
T
AMB
≤
45°C
符号
I
FSM
I
FSM
I
FSM
I
FSM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
400
100
-40+ 85
-40+ 85
260
140
日前，Vishay
单位
A
A
A
A
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
橙红色
TDSO1150/1160
参数
（数字平均）
1)
测试条件
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
民
450
612
典型值。
最大
单位
μcd
每个段我发光强度
F
= 10毫安
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压每段
或DP
反向电压每段
或DP
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
625
630
±50
2
3
nm
nm
度
V
V
6
15
I
VMIN
我
V
群体平均
黄
TDSY1150
参数
（数字平均）
1)
测试条件
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
民
450
581
典型值。
最大
单位
μcd
每个段我发光强度
F
= 10毫安
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压每段
或DP
反向电压每段
或DP
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
594
585
±50
2.4
3
nm
nm
度
V
V
6
15
I
VMIN
我
V
群体平均
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文档编号83124
修订版1.4 ， 8月31日 - 04
