汽车级
特点
l
l
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l
l
l
l
AUIRFR8403
AUIRFU8403
HEXFET
功率MOSFET
D
描述
先进的工艺技术
新的超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格
*
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
（硅有限公司）
40V
2.4m
Ω
3.1m
Ω
127A
100A
G
S
专为汽车应用，这HEXFET
功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作，快速切换
速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使该设计非常有效和可靠的装置
为在汽车应用和各种其它应用中使用。
I
D
（包装有限公司）
D
c
D
应用
l
l
l
l
l
G
S
S
D
G
电动助力转向系统（ EPS ）
电池开关
启动/停止微型混合动力
重物
DC-DC变换器
套餐类型
标准包装
形式
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴左
磁带和卷轴权
管
D- PAK
AUIRFR8403
I- PAK
AUIRFU8403
G
D
S
门
漏
来源
订购信息
基本零件编号
完整型号
QUANTITY
75
2000
3000
3000
75
AUIRFR8403
DPAK
AUIRFU8403
IPAK
AUIRFR8403
AUIRFR8403TR
AUIRFR8403TRL
AUIRFR8403TRR
AUIRFU8403
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和功能
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件，操作不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。热电阻和功率耗散额定值是根据测量板安装和静止的空气中
条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
127
90
520
l
单位
A
d
100
99
W
W / ℃，
V
°C
0.66
± 20
-55 + 175
300
114
148
参见图。 14，15， 24a和24b的
雪崩特性
E
AS （限热）
E
AS （测试）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
单脉冲雪崩能量测试值
重复性雪崩能量
e
d
e
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
R
θ
JA
d
j
参数
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
k
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.52
50
110
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
www.irf.com
2013国际整流器
2013年4月25日
