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AD8321
逻辑输入（ TTL / CMOS逻辑）
（ DATEN ， CLK ， SDATA ，V
参数
逻辑“1”的电压
逻辑“0”电压
逻辑“1”电流（Ⅴ
INH
= 5 V ） CLK ， SDATA ，
DATEN
逻辑“0”电流（Ⅴ
INL
= 0 V ） CLK ， SDATA ，
DATEN
逻辑“1”电流（Ⅴ
INH
= 5 V)
PD
逻辑“0”电流（Ⅴ
INL
= 0 V)
PD
CC
= + 9V ;全温度范围）
民
2.1
0
0
–600
50
–250
典型值
最大
5.0
0.8
20
–100
190
–30
单位
V
V
nA
nA
mA
mA
时序要求
（整个温度范围内，V
参数
时钟脉冲宽度（T
WH
)
时钟周期（T
C
)
建立时间SDATA与时钟（T
DS
)
建立时间
DATEN
与时钟（T
ES
)
保持时间SDATA与时钟（T
DH
)
保持时间
DATEN
与时钟（T
EH
)
输入上升和下降时间， SDATA ，
DATEN ，
时钟（T
R
, T
F
)
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
T
DS
SDATA
有效数据WORD G1
MSB 。 。 。 .LSB
CC
= 9 V，T
R
= T
F
= 4纳秒，女
CLK
= 8MHz的，除非另有说明）。
民
16.0
32.0
5.0
15.0
5.0
3.0
10
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
有效数据WORD G2
T
C
T
WH
CLK
T
ES
DATEN
T
EH
8个时钟周期
增益传输（ G1 ）
T
关闭
PD
T
GS
增益传输（ G2 ）
T
ON
类似物
产量
信号幅度（峰 - 峰值）
座
图2.串行接口时序
有效数据位
SDATA MSB
MSB-1
MSB-2
T
DS
T
DH
CLK
图3.定时SDATA
REV 。一
–3–
