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ADT6501/ADT6502/ADT6503/ADT6504
应用信息
热响应时间
所需的温度传感器时沉降到一个指定的
精度是传感器的热质量和的函数
在传感器和物体之间存在的热传导
检测。热物质通常被认为是等效于
电容。通常使用指定的导热系数
符号Q和可以被认为是耐热性的。这是
在每瓦功率的单位度一般规定
在整个传输的热联合。因此，所需要的时间
该ADT650x沉降到期望的精确度依赖于
的SOT-23封装的特点，热接触
建立在该特定的应用程序，并且等效
热源的功率。在大多数应用中，所述沉降时间
最好是根据经验确定。
数据表
如果可能的话， ADT650x应该直接从供电
系统供电。这种结构，如图19所示，
隔离逻辑开关瞬态的模拟部分。
即使一个单独的电源走线不可用，大方
电源旁路降低电源线引起的误差。当地
电源旁路由一个0.1 μF的陶瓷电容是
可取实现温度精度规格。
这种去耦电容必须放在尽可能接近到
在ADT650x V
CC
引脚。
TTL / CMOS
逻辑
电路
0.1F
ADT650x
动力
供应
该ADT6501的温度测量精度/
ADT6502 / ADT6503 / ADT6504可以在某些降解
应用由于自加热。错误可以被引入
转换时的静态功耗和功率耗散。
这些温度误差的大小取决于
该ADT650x包的热导率，所述安装
技术中，和气流的影响。在25 ° C，静电消散
在ADT650x通常是99 μW在3.3 V.在操作
5引脚SOT- 23封装安装在自由的空气，这占了
温度上升，由于自加热的
ΔT =
P
DISS
×
θ
JA
= 99 μW × 240 ° C / W = 0.024 ℃，
因此建议通过该装置的电流消耗是
保持为最小，因为它具有在一个正比效果
温度误差。
图19.独立的痕迹来降低电源噪声
温度监控
该ADT6501 / ADT6502 / ADT6503 / ADT6504是理想的
监测范围内的电子设备的热环境。
例如，表面贴装封装准确地反映了
影响附近的集成电路精确的温度条件。
该ADT650x测量和转换处的温度
其自身的半导体芯片的表面上。当ADT650x是
用于测量附近的热源的温度，所述
热源和ADT650x之间的热阻抗
必须尽可能地低。
多达60％的从热源传递到散热
在ADT650x模具中的热传感器，通过排出
铜轨道，封装引脚，和焊点。在销的
ADT650x ， GND引脚传递的热量最多。因此，
监视热源的温度，推荐
那之间的ADT650x GND引脚的热阻
和热源的GND减小尽可能。
例如，可以使用的ADT650x的独特性能
监测高功耗的微处理器。该
ADT650x设备在它的SOT-23封装直接安装
下方的微处理器的引脚栅格阵列（PGA ）封装。
该ADT650x无需外部表征。
电源去耦
该ADT6501 / ADT6502 / ADT6503 / ADT6504应
分离与V之间的0.1 μF陶瓷电容
CC
和
GND 。这一点尤其重要，当ADT650x是
从电源的远程安装。精密模拟
产品如ADT650x要求以及滤波电源
源。因为ADT650x从单一电源供电，它
看似方便进军数字逻辑电源。
遗憾的是，逻辑电源通常是一个开关式的设计，
它产生在20千赫至1 MHz范围内的噪声。此外，
快速的逻辑门可以产生毛刺是几百毫伏
振幅由于布线电阻和电感。
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自热效应
