ADN2850
100
数据表
V
DD
= 5V
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
理论分析（一
WB_MAX
- 毫安）
CS （ 5V / DIV ）
10
CLK （ 5V / DIV ）
1
R
WB
= 25k
SDI （ 5V / DIV ）
0.1
R
WB
= 250k
0
128
256
384
512
640
768
896
1023
代码（十进制）
图18.我
DD
与时间将数据存储到EEMEM时
图19.我
WB_MAX
与代码
测试电路
图20图24中定义的规范部分所使用的测试条件。
DUT
W
B
V
MS
02660-026
I
W
DUT
W
R
SW
=
0.1V
I
SW
+
B
I
SW
V
SS
到V
DD
0.1V
–
02660-033
图20.电阻位置非线性误差（变阻器操作; R- INL ， R- DNL ）
图23.增量导通电阻
I
W
= V
DD
/R
公称
W
B
02660-028
V
W
V
DD
DUT
V
MS1
R
W
= V
MS1
/I
W
I
CM
W
B
V
CM
02660-034
V
SS
GND
图21.抽头电阻
CODE =中刻度
V
DD
V+
NC
NC =无连接
图24.共模漏电流
I
W
= V
DD
/(R
公称
/ 2)
~
B
W
V
MS
V+ = V
DD
±10%
电源抑制比（分贝）= 20的LOG
PSS （％/ ％）=
ΔV
女士％
ΔV
DD%
(
ΔV
MS
ΔV
DD
)
02660-029
图22.电源灵敏度（ PSS ， PSRR ）
修订版E |第12页28
02660-025
I
DD
(2mA/DIV)
02660-023
0.01
