ADE7752/ADE7752A
特定网络阳离子
V
DD
= 5 V± 5 ％ ， AGND = DGND = 0 V ，片内基准， CLKIN = 10 MHz时，T
民
给T
最大
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
准确性
1, 2
在电流测量误差
通道
通道之间的相位误差
PF = 0.8容性
PF = 0.5感性
AC电源抑制
输出频率变化
（ CF）的
直流电源抑制
输出频率变化
（ CF）的
模拟输入
最大信号电平
输入阻抗（ DC ）
带宽（-3 dB）的
ADC失调误差
1, 2
增益误差
参考输入
REF
IN / OUT
输入电压范围
输入阻抗
输入电容
片内基准
引用错误
温度COEF网络cient
CLKIN
输入时钟频率
逻辑输入
3
ACF ， S0，S1，和ABS
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
IN
输入电容，C
IN
逻辑输出
3
F1和F2的
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
CF和REVP
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
电源
V
DD
I
DD
1
2
ADE7752
最小典型最大
0.1
ADE7752A
最小典型最大
0.1
单位
％读数
条件
与满量程信号电压通道
（ ± 500毫伏） ， 25℃下，在一个动态范围
为500 1
±0.1
±0.1
0.01
0.01
±0.1
±0.1
度
度
％读数
SCF = 0; S0 = S1 = 1
IA = IB = IC = 100 mV的有效值，
VA = VB = VC = 100 mV的有效值， @ 50 Hz的，
纹波V
DD
175 mV的有效值@ 100赫兹
S1 = 1 ; S0 = SCF = 0
IA = IB = IC = 100 mV的有效值，
VA = VB = VC = 100 mV的有效值，
V
DD
= 5 V± 250 mV的
见模拟输入部分。
V
AP
到V
N
, V
BP
到V
N
, V
CP
到V
N
, I
AP
到我
AN
,
I
BP
到我
BN
, I
CP
到我
CN
CLKIN = 10 MHz的
CLKIN / 256， CLKIN = 10兆赫
2.5 V外部基准，
IA = IB = IC = 500 mV直流
2.4 V + 8%
2.4 V – 8%
0.1
0.1
％读数
±0.5
370
410
14
±25
±9
±9
370
450
14
±0.5
±25
V峰值
迪FF erential
kΩ
千赫
mV
理想％
2.6
2.2
3.3
10
±200
25
10
25
10
2.2
3.3
2.6
10
±200
V
V
kΩ
pF
mV
PPM /°C的
标称2.4 V
所有规格为10 MHz的CLKIN
兆赫
2.4
0.8
±3
10
2.4
0.8
±3
10
V
V
μA
pF
V
DD
= 5 V ±5%
V
DD
= 5 V ±5%
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V到V
DD
4.5
0.5
4
0.5
4.75
12
5.25
16
4.5
0.5
4
0.5
4.75
6
5.25
9
V
V
V
V
V
mA
I
来源
= 10 mA时， V
DD
= 5 V
I
SINK
= 10 mA时， V
DD
= 5 V
V
DD
= 5 V，I
来源
= 5毫安
V
DD
= 5 V，I
SINK
= 5毫安
对于指定的性能
5 V ±5%
请参阅规格说明的术语部分。
看到图中的典型性能特性部分。
3
在最初发布的任何重新设计或工艺变更可能会影响该参数后的样品进行测试。
版本C |第24 3
