恩智浦半导体
74LVC2G17
双非反相施密特触发器具有5 V容限输入
12.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V） ;测试电路见
网络连接gure 8 。
符号参数
t
pd
条件
民
传播延迟nA至纽约;看
图7
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
PD
功耗
电容
每个缓冲区; V
CC
= 3.3 V;
V
I
= GND到V
CC
[3]
[2]
40 C
+85
C
典型值
[1]
5.6
3.7
3.8
3.6
2.7
16.3
最大
10.5
6.5
6.5
5.7
4.3
-
40 C
+125
C
民
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
-
最大
13.1
8.5
8.5
7.1
5.4
-
单位
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
-
ns
ns
ns
ns
ns
pF
[1]
[2]
[3]
典型值是在T测
AMB
= 25
C
和V
CC
= 1.8 V， 2.5 V ， 2.7 V ， 3.3 V和5.0 V 。
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
N +
(C
L
V
CC2
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
(C
L
V
CC2
f
o
） =产出的总和。
13.波形
V
I
nA的输入
GND
t
PLH
V
OH
纽约输出
V
OL
mnb072
V
M
V
M
t
PHL
V
M
V
M
在测量点中给出
表9 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的输出电压下降。
图7 。
输入（ NA）输出（纽约州）的传播延迟和输出转换时间
74LVC2G17
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启8 - 2013年5月2日
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