恩智浦半导体
74HC32 ; 74HCT32
四2输入或门
表6 。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号参数
I
CC
I
CC
电源电流
另外
电源电流
条件
民
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
每个输入引脚;
V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A;
其他输入在V
CC
或GND ;
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
-
-
25
C
典型值
-
-
最大
2.0
430
40 C
+85
C 40 C
+125
C
单位
民
-
-
最大
20
540
民
-
-
最大
40
590
A
A
C
I
输入
电容
-
3.5
-
-
-
-
-
pF
10.动态特性
表7中。
动态特性
GND = 0 V ;
L
= 50 pF的;对于负载电路见
图7 。
符号参数
条件
民
74HC32
t
pd
传播延迟呐， NB到纽约;看
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
V
CC
= 6.0 V
t
t
转换时间
SEE
图6
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
功耗
电容
每包; V
I
= GND到V
CC
[3]
[2]
[1]
25
C
典型值
最大
40 C
+125
C
单位
最大
(85
C)
最大
(125
C)
-
-
-
-
-
-
-
-
22
8
6
6
19
7
6
16
90
18
-
15
75
15
13
-
115
23
-
20
95
19
16
-
135
27
-
23
110
22
19
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT32
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2012保留所有权利。
产品数据表
启5 - 2012年9月4日
6 17
