11.
缓存和页面大小配置
数据闪存器件的存储器阵列实际上比其它串行闪存器件较大的额外用户可访问
字节在存储器阵列的每一页设置。为AT45DB081E ，有一个额外的8个字节的存储器
每一页，总共用户可访问的存储器的一个额外的32KB （ 256千位）的。
一些应用程序，但是，可能不希望采取这种额外的内存优势，而不是建筑师他们的软件
操作二进制逻辑寻址方案是“ 2的幂” 。为了实现这一点，数据闪存可以使配置的
缓存和页面大小是256字节，而不是标准的264个字节。此外，该缓冲器的结构和
页面大小是可逆的，是可以改变的，从264字节到256字节或256字节到264个字节。该配置
设置被存储在内部的非易失性寄存器，使得缓冲器和页大小配置不受电源
周期。非易失性寄存器具有10,000擦除/编程周期的限制;因此，应注意不切换
大小选项超过10000次之间。
设备最初从Adesto出厂时设置为264字节的缓冲区和页面大小。设备可以从订购
Adesto预先配置为256个字节的二进制大小的“ 2的幂” 。有关详细信息，请参阅
第27章，订购信息
（标准数据闪存页面大小），第63页。
以二进制的页面大小（ 256字节） ，为3Dh ， 2AH ， 80H的4个字节的操作码序列“ 2的幂”配置设备，并
A6H必须移入器件。之后的操作码序列的最后一位被移入， CS引脚必须
拉高启动内部自定时的配置过程和非易失性寄存器编程周期。该
非易失性寄存器的编程应该在时间t的
EP
，在这段时间中的RDY / BUSY位在
状态寄存器将指示器件忙。该装置不需要以动力完成后循环
为了使缓冲器和页大小配置过程和寄存器程序循环进行配置，以256个字节。
配置该设备用于标准数据闪存页大小（ 264字节），为3Dh ， 2AH ，为80h的一个4字节码序列，并
A7H必须移入器件。之后的操作码序列的最后一位被移入， CS引脚必须
拉高启动内部自定时的配置过程和非易失性寄存器编程周期。该
非易失性寄存器的编程应该在时间t的
EP
，在这段时间中的RDY / BUSY位在
状态寄存器将指示器件忙。该装置不需要以动力完成后循环
为了使缓冲器和页大小配置过程和寄存器程序循环进行配置，以264个字节。
表11-1 。缓冲和页面大小配置命令
命令
“电源2 ”的二进制页面大小（256字节）
数据闪存页面大小（ 264字节）
1个字节
3Dh
3Dh
2字节
2Ah
2Ah
BYTE 3
80h
80h
4个字节
A6h
A7h
图11-1 。缓存和页面大小配置
CS
SI
3Dh
2Ah
80h
操作码
4个字节
每个转换代表八位
AT45DB081E [初步数据表]
DS-45DB081E-028C–DFLASH–10/2013
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