表6-4 。
操作允许和不允许在挂起
在操作过程中
程序挂起在
缓冲器1 （PS1）
允许
允许
允许
不允许
允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
允许
不允许
允许
不允许
不允许
允许
不允许
允许
允许
允许
不允许
不允许
不允许
允许
允许
允许
允许
命令
读取命令
读阵列（所有操作码）
读缓冲器1 （所有的操作码）
读缓存器2 （所有操作码）
编程和擦除命令
缓冲区写入1
缓冲区2写入
缓冲1到存储器程序W /擦除
缓冲液2存储器程序W /擦除
缓冲1到存储器程序W / O型擦除
缓冲液2存储器程序W / O型擦除
通过缓冲器1 W /擦除存储器程序
通过缓冲器2瓦特/擦除存储器程序
通过缓冲器1存储器程序W / O型擦除
自动页重写通过缓冲器1
自动页重写，通过缓冲2
读 - 修改 - 写通过缓存1
读 - 修改 - 写通过缓存2
页擦除
块擦除
扇区擦除
芯片擦除
保护和安全命令
使扇区保护
禁止扇区保护
擦除扇区保护寄存器
计划部门保护寄存器
读扇区保护寄存器
部门锁定
读取扇区锁定
冻结部门锁定状态
程序安全寄存器
阅读安全寄存器
其他命令
主内存中缓冲1转移
主内存中缓冲2转
主内存中缓冲1比较
主内存中缓冲2比较
进入深度掉电
从深度掉电恢复
进入超深度掉电模式
阅读CON组fi guration寄存器
读状态寄存器
阅读制造商和设备ID
复位（通过硬件或软件）
在操作过程中
程序挂起在
缓冲器2（PS2）
允许
允许
允许
允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
允许
不允许
允许
不允许
不允许
允许
允许
不允许
允许
允许
不允许
不允许
不允许
允许
允许
允许
允许
在操作过程中
擦除挂起（ ES ）
允许
允许
允许
允许
允许
不允许
不允许
允许
允许
不允许
不允许
允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
不允许
允许
不允许
允许
不允许
不允许
允许
允许
允许
允许
允许
不允许
不允许
不允许
允许
允许
允许
允许
AT45DB081E [初步数据表]
DS-45DB081E-028C–DFLASH–10/2013
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