AT45DB041E
4 - Mbit的数据闪存（带额外的128千位） ，最小1.65V
SPI串行闪存
特点
单1.65V - 3.6V电源
串行外设接口（SPI ）兼容
支持SPI模式0和3
支持急流
手术
通过整个阵列连续读取功能
高达85MHz的
低功率读取选项高达15 MHz的
时钟到输出时间（t
V
）为6ns最大
用户可配置的页面大小
每页256字节
每页264字节（默认）
页面大小可以在工厂预先配置为256个字节
两个完全独立的SRAM数据缓冲区（ 264分之256字节）
允许接收数据而重新编程所述主存储器阵列
灵活的编程选项
字节/页编程（ 1二百六十四分之二百五十六字节）直接到主存储器
缓冲区写
缓冲区到主存储器页编程
灵活的擦除选项
页擦除（ 264分之256字节）
块擦除（ 2KB ）
扇区擦除（ 64KB ）
芯片擦除（ 4兆）
编程和擦除暂停/恢复
先进的硬件和软件数据保护功能
个别行业的保护
单个扇区锁定作任何扇区永久只读
128字节的一次性可编程（ OTP ）安全注册
64字节的工厂与一个唯一的标识符编程
64个字节的用户可编程
硬件和软件控制的复位选项
JEDEC标准制造商和设备ID读
低功耗
400nA超深度掉电电流（典型值）
3μA深度掉电电流（典型值）
25μA待机电流（典型值在20MHz ）
11毫安有效的读电流（典型值）
耐力：每页最低100,000编程/擦除周期
数据保存时间：20年
符合工业温度范围内
绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项
8引脚SOIC （ 0.150"宽0.208"宽）
8垫超薄DFN （ 5 ×6× 0.6毫米）
9球超薄UBGA （ 6 ×6× 0.6毫米）
8783F–DFLASH–10/2013
