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SMJ320F240
DSP控制器
SGUS029C - 1999年4月 - 修订2004年9月
双存取RAM ( DARAM ) (续)
国家经贸委CNF ( B0配置为数据存储器)和CLRC CNF ( B0配置为程序存储器)的说明
让内存的动态配置,通过软件映射。当使用块0作为程序存储器,
指令可以从外部程序存储器下载到片内RAM ,然后执行。当
使用片内RAM ,或高速外部存储器中, F240全速运行,没有等待状态。能力
在DARAM以允许两个访问在一个周期内加上F240的并行性质进行
架构使该器件能够执行在任何给定的机器周期三个并行存储器访问。
从外部看, READY线可用于连接的F240到速度较慢,较便宜的外部存储器。
从下载速度慢的片外内存的程序,以片内RAM可以加速处理的同时,减少系统
成本。
闪存EEPROM
闪存EEPROM提供了一个有吸引力的替代蒙面程序ROM 。喜欢的ROM ,闪存是非易失性的;
然而,它具有“中靶”可重编程的优点。该SMJ320F240采用1 16K
在程序空间的16位闪存EEPROM模块。这种类型的存储器扩展的能力
SMJ320F240的原型,早期的现场测试等领域,以及单芯片的应用。
与大多数离散的闪存中, F240闪存不需要专用状态机,因为
用于编程和擦除闪存算法由DSP内核执行。这使得数
优点,包括:减少的芯片尺寸和复杂的,自适应的算法。对于生产编程,
IEEE标准1149.1
( JTAG )扫描端口提供了轻松访问片上RAM用于下载
算法和闪存代码。闪光灯的其它关键特性包括零等待状态的访问率和5 V单
电源。
在SMJ320F240闪存擦除比特被读为逻辑1 ,并且一编程的位被读出为逻辑0。闪光灯
需要的块擦除整个16K模块;然而,位的任意组合可被编程。该
以下四种算法所需要的闪光灯操作:清晰,擦除闪存的写入和程序。对于
这些算法和快速EEPROM的完整说明解释,请参阅
TMS320F20x/F24x
DSP嵌入式闪存技术参考
(文献编号SPRU282 ) 。
串行闪存加载器
片上闪存附带以下地址编程的串行引导程序代码:
0x0000--0x00FFh 。所有其他闪存地址处于被擦除状态。在串行引导加载程序可以用来
编程的片上闪存与用户的代码。在闪存的编程序列中,芯片上的数据
RAM用于加载并执行清晰,擦除和编程算法。
闪光控制模式寄存器
闪光控制模式寄存器位于I / O地址FF0Fh 。该寄存器提供了两个选项:寄存器访问
模式和阵列的访问模式。寄存器访问模式可以访问四个控制寄存器,在内存中
空间解码闪光灯模块。这些寄存器用于控制擦除,编程和测试
闪存阵列。寄存器访问模式是通过激活启用
OUT
命令以虚拟数据。
OUT XXXX , FF0Fh
指令使闪存访问的寄存器用于读取和/或写入。后
EXECUTING
OUT XXXX , FF0Fh ,
闪光控制寄存器解码的内存空间访问
闪光灯模块和闪存阵列不能被访问。这四个寄存器重复每四个地址
闪存模块的解码范围内的位置。
在完成所有必要的后读取和/或写入到控制寄存器,一个
在XXXX , FF0Fh
指令
(与虚拟数据)被执行以把闪存阵列重新排列访问模式。执行后
在XXXX , FF0Fh
指令,闪存阵列被访问在解码空间和闪光寄存器
IEEE标准1149.1--1990 , IEEE标准测试接入端口
36
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251--1443

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