
低电压,低功耗,± 1 %的高检测精度的CMOS电压检测器
牧师E13-01
VDA系列
电气特性
( TA = 25 ° C除非另有说明)
项
工作电压
符号
V
IN
V
DET
检测电压
V
DET
迟滞范围
V
HYS
V
IN
=0.7V
V
IN
=1.0V
V
IN
=2.0V
V
IN
=3.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=5.0V
CMOS P沟道
V
DS
=2.1V
CMOS N沟道
V
DS
=2.1V
V
IN
=6.0V
V
IN
=6.0V
V
IN
=1.5V
V
IN
=2.0V
消耗电流
I
SS
V
IN
=3.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=5.0V
漏电流
I
泄漏
V
IN
=6.0V V
OUT
=6.0V
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
TA = -40°C - + 85°C
V
DET
= 0.8V ~ 1.7V
TA = -40°C - + 85°C
从V反转
DR
到V
OUT
条件
V
DET
= 0.8V ~ 6.0V
V
DET
= 1.8V ~ 6.0V
TA = -40°C - + 85°C
V
DET
= 0.8V ~ 1.7V
TA = -40°C - + 85°C
分钟。
0.7
V
DET
×0.99
V
DET
×0.98
V
DET
×0.02
0.1
1.0
3.0
5.0
6.0
7.0
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
V
DET
V
DET
V
DET
×0.05
0.35
2.3
8.2
11.1
12.8
13.8
-9.5
9.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
±20
±100
0.03
马克斯。
6.0
V
DET
×1.01
V
DET
×1.02
V
DET
×0.08
-
-
-
-
-
-
-1.5
-
2.1
2.5
2.8
3.0
3.4
100
-
-
0.2
单位
V
V
1
V
V
mA
mA
mA
3
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
nA
PPM /°C的
1
PPM /°C的
ms
5
3
2
4
3
1
TEST
电路
1
N沟道
V
DS
=0.5V
输出电流
I
OUT
检测电压
温度COEF网络cient
延迟时间
V
DR
→V
OUT
逆温
V
DET
/
ΔTA V
DET
T
DLY
AnaSem
4
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