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IRF7831PbF
100000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的，C DS短路
CRSS = C GD
COSS =硫化镉+ Cgd的
12
ID = 12A
10
8
6
4
2
0
VDS = 24V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.0
T J = 150℃
10.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
100sec
10
1msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.1
1.0
10.0
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源toDrain电压（ V）
1
10msec
100.0
1000.0
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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