位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第545页 > IRFB33N15DPBF > IRFB33N15DPBF PDF资料 > IRFB33N15DPBF PDF资料1第4页
IRFB/IRFS/IRFSL33N15DPbF
100000
20
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
I
D
= 20A
V
DS
= 120V
V
DS
= 75V
V
DS
= 30V
16
10000
C，电容（pF ）
西塞
1000
12
科斯
100
8
CRSS
4
10
1
10
100
1000
0
测试电路
见图13
0
20
40
60
80
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
100
T
J
= 175
°
C
10
10us
100us
10
1ms
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 175° C
单脉冲
1
10
100
10ms
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
