ISL6740 ， ISL6741
过渡电压幅值。如果漏感能量
过低时，零电压开关操作是不可能的，并靠近或部分的ZVS
发生的操作。作为泄漏能量的增加，电压
振幅增大，直到它由FET体二极管钳位
地面或V
IN
取决于哪个场效应管导通。当
漏感能量超过所需的ZVS最低
操作中，电压被钳位，直到能量被传递。
这种行为增加了时间窗口ZVS操作。这
行为不是没有后果，但是。过渡
时间和时间在此期间，电压被钳位的期间
降低了有效占空比。
栅极电荷影响的场效应晶体管的开关速度。更高
栅极电荷转化为更高要求的驱动器和/或
较慢的开关速度。以驱动栅极所需的能量是
作为热量耗散。
最大输入电压，V
IN
加瞬态电压，
确定所需的额定电压。具有最大输入
电压53V为这个应用程序，如果我们允许有10 ％的加法器
为瞬态， 60V的或更高的额定电压是足够的。
RMS电流通过每一次侧FET可
初级电流从等式17确定的，代5A
对于我
OUT
。结果是3.5A有效值。仙童FDS3672场效应管，额定功率为
100V和7.5A （R
DS （ ON）
= 22MΩ ） ，被选定为半
桥开关。
图7F 。底层： 1匝次级和SR
绕组
图7E 。 INT 。第4层： 1回合次级绕组
0.689
0.358
0.807
0.639
同步整流器场效应管必须承受约
一半的输入电压的假设没有开关瞬态
都存在。这表明能够承受在一个设备
至少30V是必需的。经验性测试电路中的揭示
20V的开关瞬变是在器件目前
指示中的至少60V的评级是必需的。
7.07A每个SR FET的RMS额定电流要求低
r
DS （ ON）
以减少传导损耗，这是很难找到一个
60V器件。它决定使用两个设备在平行于简化
热设计。两个仙童FDS5670设备中使用
平行于总共四个SR场效应管。该FDS5670的额定电压为60V
和10A （R
DS （ ON）
= 14mΩ).
0.403
振荡器元件选择
0.169
0.000
0.000 0.184
0.479
0.774
1.054
图7G 。 PWB尺寸
235kHz的期望的工作频率的转换器是
第14页振荡器上，建立在“设计标准”
频率工作在转换器的频率的两倍
因为两个时钟周期都需要一个完整的转换器
期。
在每一个振荡周期的定时电容，C
T
，必须是
充电和放电。确定所需的放电
时间来实现零电压开关（ZVS ）是关键的设计
目标在选择定时元件。放电时间套
在两个输出端之间的死区时间，并且是相同的ZVS
过渡时间。一次放电时间被确定时，所述
该周期的剩余时间变为充电时间。
在ZVS转换时间是由变压器的决定
初级漏感，L
lk
，由FET的Coss ，由
变压器的寄生绕组电容，和由任何其他
该节点上的寄生元件。该参数可以是
MOSFET选择
选择标准的初级侧半桥FET的和
二次侧同步整流器场效应管的主要依据是
该器件的电流和电压额定值。然而，在FET
漏 - 源电容和栅电荷不能被忽略。
零电压开关（ ZVS ）转换时间依赖于
变压器的漏电感和电容的
在上FET源极和下FET的漏极之间的节点。该
节点电容由漏 - 源电容的
的场效应晶体管和变压器的寄生电容。该
泄漏电感和电容组成的LC谐振电路
电路，它决定了转换时间。该
能量存储在所述LC谐振电路量来确定
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FN9111.6
2011年12月2日
