ADuC836
非易失性Flash / EE存储器
Flash / EE存储器概述
ADuC836 Flash / EE存储器可靠性
该ADuC836集成了Flash / EE存储器技术
片上提供一种具有非易失性，在电路内，重现用户
可编程代码和数据的存储空间。 Flash / EE存储器是
一个相对较新的类型的非易失性存储器技术，是
基于单个晶体管单元结构。该技术是
EPROM技术的基本的产物，是人员开发
到80年代末制作的通讯资料。 Flash / EE存储器采用灵活
在电路可重编程的EEPROM和联合收割机的特点
它们与EPROM的有效空间/高密度特性（见
图15）。
因为闪存/ EE技术是基于一个单一的晶体管单元
体系结构，一个闪存存储器阵列， EPROM一样，可以被立即
执行完成，实现了空间效率和存储密度
由给定的设计要求。
像EEPROM ，闪存可在系统编程
在一个字节的水平，尽管它必须首先被擦除;擦除是
按页进行。因此，快闪存储器通常是多
正确地称为Flash / EE存储器。
EPROM
技术
EEPROM
技术
在ADuC836的闪速/电擦除程序存储器和数据存储器阵列
完全胜任两个关键Flash / EE存储器的特点：
Flash / EE存储器循环耐力和Flash / EE存储器
数据保留。
耐力
量化Flash / EE存储器的是能力
经过许多程序，读取和擦除周期循环。在实际
而言，单个耐久性周期包括四个独立的，
顺序发生的事件，其被定义为：
一。初始页擦除序列
B 。读/校验序列
。字节的程序顺序
。第二读/校验序列
在可靠性鉴定，同时在程序中的每个字节
数据Flash / EE存储器由00H循环到FFH ，直到第一
故障记录，标志着片上的疲劳极限
Flash / EE存储器。
正如在规格表中， ADuC836的Flash / EE
存储器耐力资格已进行了在
根据JEDEC规范A117在工业
温度范围为-40°C ， + 25 ° C， + 85° C和+ 125°C 。该
结果允许的最低耐力的身影规范
在电源和温度的10万次，有endur-
70万个周期是典型的操作，在25℃ ANCE的身影。
保留
孔定量科幻ES的Flash / EE存储器的保留能力
其编程的数据随着时间的推移。再次，在ADuC836一直
按照正规的JEDEC保持生命对外贸易资质音响编
时间特定网络阳离子（ A117 ）在一个特定的C的结温
(T
J
= 55 ° C） 。由于这种对外贸易资质科幻阳离子的过程中， Flash / EE存储器的一部分
内存循环到上述指定的耐力极限，
之前保存数据的特点。这意味着Flash / EE
内存是保证保留其数据的全面指定reten-
化生命周期的每一个Flash / EE存储器被重新编程时间。
还应当注意的是，保持寿命的基础上，激活此
0.6电子伏特能量化，会以T减免
J
如示于图16 。
300
单个Flash / EE
内存耐力
周期
节省空间/
密度
Flash / EE存储器
技术
在电路
可重复编程
图15. Flash / EE存储器发展
总体而言， Flash / EE存储器代表了一步接近理想
由于具有非易失性，在电路可编程存储器设备
相容性，密度高，且成本低。纳入ADuC836 ，
Flash / EE存储器技术允许用户更新程序
在电路内的代码空间，而不需要更换一次性亲
可编程（ OTP）设备，在远程操作节点。
Flash / EE存储器和ADuC836
RETENTION - 年
该ADuC836提供了两种阵列Flash / EE存储器的用户
应用程序。提供62 KB闪存/ EE程序空间
片上，以方便执行代码，无需任何外部显示
克里特ROM设备的要求。程序存储器可
在电路编程，使用提供的串行下载模式，
使用传统的第三方内存编程，或者通过任何
在用户下载（ ULOAD ）模式，用户自定义的协议。
一个4字节闪速/电擦除数据存储器空间也提供了片上。
这可以用作一个通用的，非易失性高速暂存
区。用户访问这些区域是通过一组7的SFR 。这
空间可在字节级被编程，但它首先必须
擦除4字节的页。
250
200
ADI规格
100年MIN 。
在T
J
= 55C
150
100
50
0
40
50
60
70
80
90
T
J
结温 -
C
100
110
图16. Flash / EE存储器数据保留
REV 。一
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