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ADG819
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON1
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON1
导通电阻平坦度，R
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
1
平（ON）的
数据表
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
0.7
1.4
0.06
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;参见图16
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
1.5
1.6
0.13
0.25
±0.01
±0.25
±0.01
±0.25
0.13
V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 3.3 V/1 V, V
D
= 1 V / 3.3 V ;参见图17
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 3.3 V ;参见图18
±3
±3
±10
±25
2.0
0.8
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，
t
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
1
2
0.005
±0.1
5
40
60
10
16
40
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;参见图20
65
18
70
21
1
10
71
72
17
80
300
0.001
1.0
导通电阻的参数与我测试
S
= 10 mA的电流。
通过设计保证;不受生产测试。
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 Ω,C
L
= 1 nF的;参见图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;参见图24
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图23
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.6 V ，数字输入= 0 V或3.6 V
2.0
版本A |第16页4
