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数据表
特定网络阳离子
电气特性- 5 kΩ器件
V
DD
= 5伏±10％或3伏± 10％ ; V
A
= +V
DD
; -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
直流特性，变阻器模式
电阻微分非线性
2
电阻积分非线性
2
标称电阻容差
3
电阻温度COEF网络cient
R
WB
电阻端子
电压范围
4
电容
5
B
电容
5
W
共模漏
数字输入和输出
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入电流
输入电容
5
电源
电源电压范围
电源电流
符号
R- DNL
R- INL
R
AB
(R
AB
/R
AB
)/T
R
WB
条件
R
WB
R
WB
T
A
= 25°C
雨刮=无连接
代码= 0×00 ，V
DD
= 5 V
代码= 0×00 ，V
DD
= 2.7 V
民
–1.5
–4
–30
典型值
1
±0.1
±0.75
45
75
150
GND
F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 0X40
F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 0X40
45
60
1
2.4
0.8
2.1
0.6
±1
5
2.7
V
DD
= 5.5 V; V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
DD
= 5 V; V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
DD
= 3.3 V; V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
3
2.5
0.9
AD5246
最大
+1.5
+4
+30
150
400
V
DD
单位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
V
pF
pF
nA
V
V
V
V
A
pF
V
A
A
A
V
B，W
C
B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
I
IL
C
IL
V
DD范围
I
DD
V
DD
= 5 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 3 V
V
IN
= 0 V或5 V
5.5
7
5.2
2
功耗
6
电源灵敏度
动态特性
5, 7
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压密度
1
2
P
DISS
PSSR
BW_5K
THD
W
t
S
e
N_WB
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V, V
DD
= 5 V
V
DD
= + 5V ± 10 ％ ，代码=中间电平
R
AB
= 5 kΩ的，代码= 0X40
V
A
= 1 V有效值，V
B
= 0 V ， F = 1千赫
V
A
= 5 V ，± 1 LSB误差带
R
WB
= 2.5千欧，R
S
= 0
±0.01
1.2
0.05
1
6
40
±0.025
W
%/%
兆赫
%
s
纳伏/赫兹÷
典型规格代表平均读数在25 ° C和V
DD
= 5 V.
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。
3
代码= 0x7F的。
4
电阻端子A和电阻端W无极性限制，相对于对方。
5
通过设计保证;不受生产测试。
6
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
） 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
7
V
DD
= 5 V.
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