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AD5246
重复的写入功能为用户提供了灵活性以更新
仅寻址部分后的RDAC输出的次数
一次。例如， RDAC后，承认它的奴隶
在写入模式下，每个演替的RDAC输出更新地址
西伯字节。如果需要不同的指令，读/写模式
有一个新的从站的地址和数据字节重新开始。
类似地， RDAC的重复读取功能也允许。
V
DD
数据表
B
W
电平转换双向接口
虽然大多数传统系统可以在一个电压下工作，
一个新的组件可以在另一个被优化。当两个
系统在两个不同的电压下工作相同的信号，适当的
需要电平转换。例如，可以使用一个1.8伏
E
2
PROM接口采用5 V数字电位器。 A级
换档方案是必要的，以使双向通信
阳离子，使得数字电位计的设定可以是
存储到与从E中检索
2
舞会。图30示出了
一个实现。 M1和M2可以是任意的N沟道
信号场效应管，或者V
DD
低于2.5V， M1和M2可以是低
阈值的FET ，如FDV301N 。
V
DD1
= 1.8V
R
P
R
P
G
SDA1
SCL1
1.8V
S
M1
S
M2
D
G
D
5V
03875-011
GND
图32.最大端电压设定为V
DD
和GND
最大工作电流
在低码值，则用户应该知道，由于低
电阻值时，电流通过所述的RDAC可能超过
在5毫安限制。在图33中， 5 V电源被放置在
雨刮器，而目前通过终端W和B端
绘制相对于代码。 A线还表示绘制的
5毫安电流限制。需要注意的是，在低码值（尤其
为5千欧和10千欧的选项），电流电平增加
显著。应注意，以限制电流流
W和B在这种状态下，最高连续之间
5毫安电流和不多的最大脉冲电流比
20毫安。否则，降解或可能的破坏
内部开关触点可能会发生。
100
V
DD2 =
5V
R
P
R
P
SDA2
SCL2
10
5毫安电流限制
R
AB
= 5k
E
2
舞会
AD5246
IWB电流（mA）
图30.电平转换为运行在不同电位
1
R
AB
= 10k
R
AB
= 50k
0.1
R
AB
= 100k
0.01
0
16
32
64
80
48
代码（十进制）
96
112
03875-034
ESD保护
所有数字输入保护与串联输入电阻
和平行齐纳ESD结构，如图31 。
这适用于数字输入管脚SDA和SCL 。
340
03875-016
128
图33.最大工作电流
03875-002
逻辑
上电顺序
由于ESD保护二极管限制电压合格
在接线端B和端W （见图32） ，这是很重要的
电源V
DD
/ GND施加任何电压， B候机楼前
和终端瓦;否则，该二极管被正向偏置，例如
即V
DD
被无意地供电，并可能影响其他地区
用户的电路。理想的上电顺序在后续
ING顺序为： GND ，V
DD
，数字输入，然后V
B
/V
W
。该
供电V的相对顺序
B
和V
W
和数字输入
并不重要，只要它们经过V被供电
DD
/ GND 。
GND
数字引脚图31. ESD保护
端子电压工作范围
在AD5246 V
DD
和GND电源定义的边界
进行适当的3端数字电位器的条件
操作。目前在B端供应的信号，并
W端超过V
DD
或GND被夹住
内部正向偏置二极管（参见图32） 。
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