AME
AME8861
n
特性曲线
地电流与输入电压
45
40
600毫安CMOS LDO
负载阶跃（ 1毫安- 600毫安）
Vo(10mV/DIV)
接地电流（ μ A）
35
30
25
85
O
C
产量
C
L
=2.2F
CIN=2.2F
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
L
(200mA/DIV)
20
25 C
O
I
负载
0
输入电压（ V）
时间（ 20毫秒/ DIV ）
辍学电压与输出电压
1200
0
-10
电源抑制比
辍学压（MV ）
1000
I
负载
=600mA
PSRR （分贝）
-20
-30
-40
-50
-60
800
C
L
= 2.2μF钽
C
BYP
=0
100mA
600
400
100mA
10mA
200
-70
-80
100
A
10
1K
100
A
100K
1mA
10M
0
1
2
3
4
5
6
输出电压（V）
频率（Hz）
安全工作区
-20
600
电源抑制比
100mA
-30
输出电流（mA ）
C
L
= 2.2μF钽
C
BYP
=1000pF
SOT-2X
PSRR （分贝）
-40
1mA
100
-50
100mA
-60
-70
-80
10
10mA
100A
1K
100A
100K
10M
10
0.1
1.0
8.0
输入输出电压差（ V）
频率（Hz）
8
Rev.E.05
