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LM2727 ， LM2737
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SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
+12V
VIN = 5V
凛
10
CIN
2.2u
RFADJ
43.2k
CSS
12n
VCC
SD
PWGD
频率
SS
SGND
EAO
Cc1
Cc2
560p
10p
Rc1
51.1k
HG
BOOT
艾辛河
RCS
2.7k
Cc
0.1u
Q1/Q2
2.2 uH容
6.1A ， 12米：
L1
+
Rfb2
4.99k
Co1
1× 220 uF的
4V ， 55米：
+
Cin1
100 uF的
10V ， 1.9A
VO = 1.8V@3A
LM27x7
LG
保护地
保护地
FB
Rfb1
2.49k
图27. 5V至1.8V ，3A， 600kHz的
的示例电路
图27
已被设计为最小的元件数量和整体解决方案的尺寸。一
600kHz的开关频率允许使用较小的输入/输出电容和一个小电感。该
独立的5V和12V电源（如可以从桌面电脑耗材）和可用性
低电流进一步减少元件数量。使用12V电源的MOSFET驱动器供电，消除了
自举二极管， D1 。在低电流时，较小的FET或双场效应晶体管通常是最有效的解决方案。这里，所述
Si4826DY ，非对称双FET采用SO - 8封装，产生92 ％的效率，在2A的负载。
+5V
D1
凛
10
CIN
2.2u
RFADJ
49.9k
CSS
12n
VCC
SD
PWGD
频率
SS
SGND
EAO
Cc1
Cc2
680p
4.7p
Rc1
147k
HG
BOOT
艾辛河
RCS
3.3k
Q2
保护地
保护地
FB
Rfb1
14.9k
CBOOT
0.1u
Q1
1 uH容
11 A， 3.7米：
L1
Rfb2
4.99k
+ Co1,2
2× 4700 uF的
16V ， 2.8A
CINX
1uF
10V
1 uH容
4.5 A ，7.5 M：
VIN = 3.3V
LIN
+ Cin1和
1个5600微法
10V ， 2.35A
VO = 0.8V@5A
LM27x7
LG
图28. 3.3V至0.8V ， 5A ， 500kHz的
的电路
图28
演示LM2727提供低输出电压以高效率（87％）甲
单独的5V电源是必需的，以运行该芯片，然而，输入电压可以低至2.2
版权所有 2002至13年，德州仪器
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