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LM2727 ， LM2737
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SNVS205D - 2002年8月 - 修订2013年3月
效率计算的
可以通过添加在一起的损失是可以得到的开闭控制的效率的一个合理的估计
每个电流承载元件和用公式：
(13)
下面显示了一个效率的计算，以补充的电路
图26 。
输出功率为这个电路
是1.2V X 10A = 12W 。
芯片的工作损失
P
IQ
= I
Q -V
CC
*V
CC
(14)
2毫安X 5V = 0.01W
FET的栅极充电损耗
P
GC
= N * V
CC
* Q
GS
* f
OSC
(15)
该值n是所使用的FET的总数。该Si4442DY具有典型的总栅极电荷，Q
GS
， 36nC和
的R
DS -ON
的4.1mΩ 。对顶部和底部单个FET ： 2 * 5 * 36E
-9
*300,000 = 0.108W
FET开关损耗
P
SW
= 0.5 * V
in
* I
O
* (t
r
+ t
f
)* f
OSC
(16)
该Si4442DY具有典型上升时间t
r
和下降时间t
f
的11和47ns ，分别。 0.5 * 5 * 10 * 58E
-9
*300,000 =
0.435W
FET导通损耗
P
Cn
= 0.533W
(17)
输入电容的损耗
(18)
(19)
4.28
2
*0.018/2 = 0.084W
输入电感损耗
P
LIN
= I
2in
* DCR
输入-L
(20)
(21)
2.82
2
*0.007 = 0.055W
输出电感损耗
P
糊涂人
= I
2o
* DCR
输出-L
(22)
10
2
*0.004 = 0.4W
系统效率
(23)
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