位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1357页 > AME8805YEGTZ > AME8805YEGTZ PDF资料 > AME8805YEGTZ PDF资料3第11页
AME
AME8805 / 8813
n
特性曲线
地电流与输入电压
45
40
600毫安CMOS LDO
负载阶跃（ 1毫安- 600毫安）
C
L
=2.2F
C
IN
=2.2F
接地电流（ μ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
85
O
C
25 C
O
I
L
(200mA/DIV)
V
O
(5mV/DIV)
产量
I
负载
5
6
7
8
0
TIME(20mS/DIV)
输入电压（ V）
辍学电压与输出电压
1400
电源抑制比
0
-10
-20
辍学压（MV ）
1200
1000
800
600
400
200
0
PSRR （分贝）
从上到下
I
负载
=600mA
I
负载
=500mA
I
负载
=400mA
I
负载
=300mA
I
负载
=200mA
I
负载
=100mA
C
L
=2.2F
钽
钽
C
BYP
=0
100mA
-30
-40
-50
-60
-70
-80
100mA
10mA
100
A
10
1K
100
A
100K
1mA
10M
1
2
3
4
5
6
输出电压（V）
频率（Hz）
安全工作区
600
线路瞬态响应
V
IN
(1V/DIV)
输出电流（mA ）
SOT-223
SOT-89
V
INDC
=5.0V
C
L
=2.2F
100
SOT-2X
10
0.1
1.0
8.0
V
O
(1mV/DIV)
输入输出电压差（ V）
TIME （ 2MS / DIV ）
Rev.R.12
11
