CC1100E
该
CC1100E
是非常适合用于FHSS或多
渠道系统由于其灵活的频率
合成器和有效的沟通
界面。使用数据包处理支持
和数据缓冲也是有利的，例如
系统，这些功能将显著
卸载主机控制器。
电荷泵电流， VCO电流和VCO
电容阵列校准数据是必需的
对于每个频率执行时
跳频的
CC1100E
。有3个
获得来自所述校准数据的方法
芯片：
1）跳频与校准为每个
一跳。该PLL校准时间大约
720微秒。每个间隔的消隐
跳频则是大约810我们。
2 ）快速无校准跳频
对于每一跳可以通过执行来完成
必要的校准在启动和保存
RESULTING
FSCAL3 ， FSCAL2 ，
和
FSCAL1
注册在MCU内存中的值。该VCO
电容阵列校准
FSCAL1
注册
值必须找到针对每个RF频率到
被使用。该VCO电流校准值
和电荷泵电流校准值
可在
FSCAL2
和
FSCAL3
分别
不依赖于RF频率，因此
因此，相同的值可以被用于所有的射频
频率为这两个寄存器。间
每次跳频，校准过程
然后，可以通过写入更换
FSCAL3,
FSCAL2
和
FSCAL1
寄存器值
对应于下一个射频频率。该
PLL的导通时间约为90微秒。该
每次跳频之间的消隐间隔
然后是大约90微秒。
3）在一个单一的频率执行校准
启动。接下来写0
FSCAL3 [5：4 ]
to
禁用电荷泵校准。后
写
FSCAL3 [5： 4]
频闪
SRX
（或
STX ）
同
MCSM0.FS_AUTOCAL=1
每个
新的跳频。即， VCO电流和
VCO电容校准已完成，但不
充电泵电流校准。当充电
泵电流校准禁用
校准时间从大约减少
720 μs到约150微秒。消隐
每次跳频之间的间隔是那么
约240微秒。
有消隐时间之间的权衡
用来存放校验的内存空间
在非易失性存储器中的数据。方案二）上述
给人的消隐期最短，但
需要更多的内存空间来存储
校准值。这个解决方案还需要
该电源电压和温度不
变化不大，以便有一个健壮的解决方案。
解决方案3 ）提供大约570 μs的小
消隐间隔比溶液1 ） 。
该
推荐
设置
为
TEST0.VCO_SEL_CAL_EN
变化
频率。这意味着，要时常
使用的SmartRF Studio的[8] ，以获得正确的
做之前，设置一个特定的频率
校准，而不管哪个校准的
方法正在使用。
注意：
在内容
TESTn
注册
（ n = 0时，1或2）未在休眠保留
状态，因此需要重新写这些
从休眠状态返回时注册
状态。
28.3数据突发传输
的高的最大数据速率
CC1100E
开辟了突发传输。低
平均数据速率链路（例如10千波特）可以是
通过使用较高的过无线数据实现
率。缓冲该数据并发送在
突发的高数据速率（例如500千波特）会
减少在主动模式下的时间，因此
也减少了平均电流消耗
28.4连续变速器
在数据流应用中，
CC1100E
开辟了连续传输在
500kBaud的有效数据速率。作为
调制，是用闭环锁相环
有在a的长度没有限制
传输（开环调制应用于
有的收发器通常可以防止这种
连续的数据流，并降低了
有效数据率）。
显著。减少在主动模式下的时间
会降低与冲突的可能性
其它系统在相同的频率范围。
注意：
的灵敏度，从而传输
范围减小用于高数据速率的脉冲串
相比较低的数据速率。
SWRS082
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