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NGTB20N120IHRWG
典型特征
140
120
100
IPK （ A）
80
60
40
20
V
CE
= 600 V ，T
J
≤
175 ° C，R
门
= 10
W,
V
GE
= 0/15 V，T
例
= 80℃或110 ℃的
（如前所述）中，D = 0.5
0.1
1
10
100
1000
频率（kHz ）
T
C
= 110°C
T
C
= 80°C
V
（ BR ） CES
(V)
1500
1450
1400
1350
1300
1250
1200
40
0
0.01
15
10
35
60
85
110
135
T
J
，结温（ ° C）
图19.集电极电流和开关
频率
图20.典型的V
（ BR ） CES
与温度的关系
1
R
QJC
= 0.392
占空比为50％
0.1 20%
R（ T） （ ° C / W）
10%
5%
0.01
2%
JUNCTION
1
C
i
=
t
i
/R
i
C
1
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
脉冲时间（秒）
C
2
C
n
R
2
R
n
例
R
i
（ ° C / W）
0.04597
0.000101
0.009460
0.004201
0.020965
0.040205
0.003094
0.037895
0.016194
0.000100
0.246889
t
i
（秒）
0.000218
0.031311
0.001057
0.007527
0.004770
0.007965
0.323174
0.083449
0.617513
316.228
0.405040
占空比= T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
QJC
+ T
C
0.01
0.1
1
10
图21. IGBT瞬态热阻抗
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