AD7476A/AD7477A/AD7478A
应用提示
接地和布局
设计印刷电路板，里面的AD7476A /
AD7477A / AD7478A使得所述模拟和数字部分
分离，并限制在电路板的一定区域内。这
方便使用的接地层可以很容易地分离。
最小蚀刻技术一般最好是地平面
因为它提供了最好的屏蔽。加入数字和模拟
接地平面仅在一个地方。如果AD7476A / AD7477A /
AD7478A是系统中有多个器件要求
AGND至DGND连接，使在同一连接
只有一点，那就是建立亲如星形接地点
可以将AD7476A / AD7477A / AD7478A 。
应避免在器件下方布设数字线路，因为这些情侣
噪音到死。允许模拟接地层下运行
该AD7476A / AD7477A / AD7478A为了避免噪声
耦合。使用跟踪尽可能大的电源
行到AD7476A / AD7477A / AD7478A提供低
阻抗路径，并减小故障对电源的影响
供应线。屏蔽快速切换信号，如时钟与数字
理由避免噪声辐射到电路板的其他部分，
从不运行附近的模拟输入的时钟信号。避免交叉
数字和模拟信号。上的相对侧上运行的痕迹
板以直角彼此。这降低的效果
馈通经董事会。微带线技术是目前为止
最好的，但并不总是可能用双面电路板。在
这种技术时，电路板的元件侧专用于
接地平面，而信号放置在焊接侧。
良好的去耦也很重要。脱钩供应
用，例如，一个680 nF的电容器0805到GND。当使用
在SC70封装的应用中的部件的尺寸
是值得关注的，一个220 nF 0603电容器，例如，可以使用
代替。然而，在这种情况下，去耦可能不如
有效的，从而导致的一个近似的SINAD降解
0.3分贝。为了实现这些去耦的最佳性能
组件，用户应尽量保持距离
去耦电容和V之间
DD
和GND引脚
最小与短道长连接各个
销。图31和图32 ，并显示推荐
去耦电容的SC70和MSOP位置
封装。
如可以看出，在图32中，对于MSOP封装，在
去耦电容被放置在尽可能靠近的
IC与短道长度为V
DD
和GND引脚。该
去耦电容器，也可放置在所述下侧
印刷电路板的正下方的IC中，V之间
DD
和GND
通过连接过孔引脚。这种方法不推荐
多氯联苯上述标准厚度1.6mm 。最佳性能
实现与在PCB的顶部的去耦电容
旁边的集成电路。
同样，对于SC70封装，找到去耦电容
尽可能接近至V
DD
和GND管脚。由于其
引脚排列，也就是说， V
DD
正在旁边的GND ，去耦电容
可以放在非常靠近IC 。去耦电容
可以直接下放置在PCB的底面
V
DD
以及GND ，但最好达到最佳性能与
去耦电容器上的同一侧的IC中。
图32.推荐的电源去耦方案的
AD7476A / AD7477A / AD7478A采用MSOP封装
评估AD7476A / AD7477A
性能
评估板套件包括装配和
经过测试的评估板，文档和软件
通过评估和演示板控制电路板从PC
控制器。该EVAL -BOARD控制器可
配合使用的AD7476ACB / AD7477ACB
评估板，以及许多其他的ADI公司
评估板在CB标志后缀，以
演示/评估的交流和直流性能
AD7476A / AD7477A 。该软件允许用户执行
交流（快速傅里叶变换）和直流（码的直方图）测试上
在AD7476A / AD7477A 。请参阅评估板应用
注意获取更多信息。
图31.推荐的电源去耦方案的SC70封装
修订版F |页28 25
02930-032
02930-031
