外围电路的手机
V
BATT
校准
校准过程示于图11中的两个
校正表，高模，低模respective-
LY，需要进行冷却的PAM ，这是由于获得differ-
ENCE在每个模式。对于连续输出功率在
模式的变化点，输入功率应调整
根据获得在模式切换步骤编
C6
双工器
C7
L1
RF OUT
C5
C3
C4
在RF
TX
滤波器
Vcc1
在RF
VCONT
Vcc2
RF OUT
GND
GND
C2
C1
VREF
WS1103
偏移量上升点之间的价值（差异
落点）
偏移值，该值是上升之间的差
点（输出功率，其中PA模式，由低变
模式到高模式）和下降点（输出功率
其中，由高模PA模式改变为低模式） ，
应该采取什么措施以防止系统振荡。 3
5分贝推荐用于迟滞。
输出匹配电路
男男性接触者
PA_RO
PA_ON
+2.85 V
C8
注意事项：
注意事项：
推荐电压Vref为2.85 V.
推荐电压Vref为2.85 V.
将C1接近VREF引脚。
地方
C1广场附近
（ VCC1 ）和引脚
引脚。
这些电容器可影响RF性能。
至VREF
10 （电源Vcc2 ） 。
C3和C4靠近引脚1
使用50
之间的传输线
靠近引脚1
使它尽可能地短，以减少传导损耗。
将C3和C4
PAM和双工器和
（ VCC1 ）和引脚8 （电源Vcc2 ） 。
π型
电路拓扑结构是很好的用于匹配PA和双工器之间的电路。
这些电容器可影响RF性能。
使用50
W
PAM和双工器，并使其之间的传输线
尽可能的短，以减少传导损耗。
π型电路拓扑是好用于之间的匹配电路
PA和双工器。
平均电流&通话时间
概率分布函数意味着什么
更长的通话时间重要的是低效率
或中等功率范围内，而不是在效率
充满电。 WS1103待机电流为13 mA和操作
目前，在16 dBm的65毫安标称条件。该PA
低电流消耗地延长了无通话时间
相比于其它PA少于30分钟。
收益
图10.外围电路
TX_AGC
低模式
High模式
低模式
噘
马克斯。 PWR
High模式
分钟。 PWR
下降上升
落下
升起
噘
图11.校准程序
5.00
4.50
4.00
3.50
PDF （ ％ ）
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0
-50
-40
-30
-20
-10
PA输出（ DBM）
传统的PAM
数控PAM
0
10
20
CDG城市
CDG郊区
图12.设定的上升与下降之间的功率偏移
700
600
500
400
300
200
100
30
0
电流（mA ）
酷PAM
图13. CDMA功率分布函数
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