应用原理

Vdd2

C32

Idq2

Idq3

C9

C8

Vdd3

C10

C11

C13

1

RFIN

C1

顶视图

C2

RFOUT

C20

C22

C24

I_VddBias

C25

C26

Vc2

Vc3

C28

C29 C30

VDET

C31

VddBias

在演示板图36.应用原理

笔记

1.电源线的所有电容都旁路电容器

2. C1 / C2为RF耦合电容。

3.对于VDD = VddBias = 5V ， Idq2 = 100 mA时， Idq3 = 250 mA时， I_VddBias = 14 mA的电流。 IDQ 2/3是由电压CMOS兼容控制引脚Vc的调整

2/3分别。这些典型的偏置电流都用VC 2/3的电压在图2中求得。这些电流的调整使最佳偏置

要达到最佳的线性度和效率对于给定调制类型的条件。

4.对于VDD = VddBias = 5.5V ，VC2 = 2.9V和VC3 = 2.7V ，典型Idq2 = 100 mA时， Idq3 = 245 mA时， I_VddBias = 14毫安

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