LM2736
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SNVS316F - 2004年9月 - 修订2013年4月
续流二极管
续流二极管（ D1）的开关关断时间期间进行。肖特基二极管推荐的快速切换
时间和较低的正向电压降。续流二极管的选择应使得其额定电流大于：
I
D1
= I
O
×（1 - D）的
(22)
二极管的反向击穿等级必须至少为最大输入电压加上适当的余量。
为了提高效率选择具有低正向压降肖特基二极管。
升压二极管
推荐标准二极管，如1N4148型。对于V
BOOST
从得到的电压小于电路
3.3V，小信号肖特基二极管被推荐用于提高效率。一个很好的选择是BAT54小
信号二极管。
升压电容
陶瓷电容0.01μF至少6.3V的额定电压是足够的。该X7R和X5R的MLCC提供
最佳的性能。
输出电压
输出电压是用下面的等式，其中R2之间连接FB管脚和GND设置，并
R1连接V之间
O
和FB引脚。一个很好的价值为R2为10kΩ 。
R
1
=
V
O
V
REF
- 1× R2
(23)
PCB布线注意事项
在规划布局有几件事情要达到一个干净，稳定的输出时要考虑的。该
当完成了布局中的C的GND连接的紧密耦合最重要的考虑因素
IN
电容和续流二极管D1 。这些接地端应彼此接近并连接到
GND层上至少有两个通孔。放置这些组件尽可能靠近集成电路越好。下一步
重要的是C的接地连接的位置
OUT
电容器，其应靠近接地
的C连接
IN
和D1 。
应该有两层电路板的底层上连续的接地平面以外的开关下
节点的岛屿。
FB引脚为高阻抗节点，应注意使FB走线短，以避免噪声干扰
和不准确的调节。反馈电阻器应放置在尽可能靠近的IC ，具有与GND
R2中的放置在尽可能靠近的IC的GND 。在V
OUT
跟踪到R1应远离，
电感和被交换的任何其他痕迹。
高的交流电流流过V
IN
， SW和V
OUT
的痕迹，所以他们应该尽可能短而宽越好。
然而，使得痕迹宽增加辐射噪声，所以设计者必须做出这种权衡。辐射
噪声可以通过选择屏蔽电感降低。
剩余成分也应放置在尽可能靠近IC放置。请参阅应用笔记
AN-1229
SNVA054
进一步的考虑和LM2736演示板作为一个四层布局的一个例子。
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