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绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度
电源电压（ 1分钟最大）
反向输入电压（每通道）
输出电压（每通道）
平均正向电流输入
[1]
（每通道）
输出电流（每通道）
输入功率耗散
[2]
（每通道）
输出功率耗散
[2]
（每通道）
符号
T
s
T
A
V
DD1
, V
DD2
V
R
V
O
I
F
I
O
P
I
P
O
分钟。
-55
-40
马克斯。
125
100
7
5
7
15
50
27
65
单位
°C
°C
V
V
V
mA
mA
mW
mW
推荐工作条件
参数
工作温度
输入电流，低电平
[3]
输入电流，高级别
[4]
电源电压
扇出（为R
L
= 1kΩ)
输出上拉电阻
符号
T
A
I
FL
I
FH
V
DD1
, V
DD2
N
R
L
分钟。
-40
0
7
3.0
330
马克斯。
100
250
15
5.5
5
4k
单位
°C
μA
mA
V
TTL负载
Ω
注意事项：
1.峰值电路可能产生的瞬态输入电流高达50 mA ， 50 ns（最大值） 。脉冲宽度，只要平均电流不会超过其最大值。
值。
2.减免总包功耗， PT线高于+ 95℃自由空气的温度在1.57mW的速度/ ℃，为SO8封装安装在
每JESD 51-3低导电板。减免总包功耗， PT线高于+ 80℃自由空气的温度以1.59的速度
毫瓦/ ℃，对于SO16封装安装在每JESD 51-3低导电板。 PT =通道乘以（ PI + PO）的数量。
3.将O FF状态可以通过确保V被保证
FL
≤ 0.8V.
4.初始切换阈值是7 mA或更小。因此建议最小8毫安用于最佳性能，并允许保护频带
用于LED降解。
100
P
T
- 每声道总功率耗散 - 毫瓦
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
T
A
40
60
80
100
120
- 环境温度 -
o
C
SO- 16封装
SO- 8封装
9
