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初步
数据表
2SC4702
NPN硅外延
应用
高电压放大器
R07DS0275EJ0400
（上一篇： REJ03G0729-0300 ）
Rev.4.00
2011年3月28日
特点
高的击穿电压
V
首席执行官
= 300 V
小穗轴
COB = 1.5 pF的典型。
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
注意：
标记为“ XV- ” 。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
300
300
5
50
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
R07DS0275EJ0400 Rev.4.00
2011年3月28日
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