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IRFR7440PbF
IRFU7440PbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
有刷电机驱动应用
l
BLDC电机驱动应用
l
PWM Inverterized拓扑结构
l
电池供电的电路
l
半桥和全桥拓扑结构
l
电子镇流器应用
l
同步整流应用
l
谐振式电源
l
OR- ING和冗余电源开关
l
DC / DC和AC / DC转换
好处
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
l
不含铅符合RoHS ，无溴，
无卤素
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
D
40V
1.9mΩ
2.4mΩ
180A
90A
c
S
G
G
D
S
D- PAK
IRFR7440TRPbF
I- PAK
IRFU7440TRPbF
G
D
S
门
漏
来源
订购信息
订购型号
IRFR7440PbF
IRFR7440TRPbF
IRFU7440PbF
套餐类型
D- PAK
D- PAK
I- PAK
标准包装
形式
QUANTITY
管/散装
75
磁带和卷轴
2000
管/散装
75
完整型号
IRFR7440PbF
IRFR7440TRPbF
IRFU7440PbF
(
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻米
Ω)
8
180
ID = 90A
ID ，漏电流（ A）
6
160
140
120
100
80
60
40
不限按包
4
TJ = 125°C
2
TJ = 25°C
0
4
8
12
16
20
20
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TC ，外壳温度（ ° C）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
1
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2012国际整流器
图2 。
最大漏极电流与外壳温度
二〇一二年十月一十七日
