汽车级
PD - 96404A
特点
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AUIRFS3307Z
AUIRFSL3307Z
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
D
75V
4.6mΩ
5.8mΩ
128A
120A
c
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这种设计的附加特征是一个175 ℃的
结的工作温度，快速开关速度和
改进型重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使这个设计非常高效，
在汽车应用和使用可靠的设备
各种各样的其它应用程序。
G
S
G
G
D
S
D
2
PAK
AUIRFS3307Z
TO-262
AUIRFSL3307Z
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有等级;和
该设备运行在这些或超出了规格标明的任何其他条件
是不是implied.Exposure
以长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。热
电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
)
是25 ℃，除非另有规定。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， VGS @ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
马克斯。
128
90
120
512
230
1.5
± 20
6.7
140
单位
A
d
W
W / ℃，
V
V / ns的
mJ
A
mJ
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
单脉冲雪崩能量
f
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
d
e
g
参见图。 14，15， 22a和22b的
-55 + 175
300
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
°C
热阻
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳
k
参数
2
典型值。
马克斯。
0.65
40
单位
° C / W
结到环境（ PCB安装） ，D白
j
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
11/17/11
