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恩智浦半导体
74LVC1G125
总线缓冲器/线路驱动器;三态
11.动态特性
表8 。
动态特性
电压参考GND（地= 0V）。测试电路见
网络连接gure 10 。
符号参数
t
pd
条件
[2]
40 C
+85
C
民
典型值
[1]
3.3
2.2
2.5
2.1
1.7
4.1
2.8
3.3
2.4
2.1
4.3
2.7
3.0
3.1
2.2
25
6
最大
8.0
5.5
5.5
4.5
4.0
9.4
6.6
6.6
5.3
5.0
9.2
5.0
5.0
5.0
4.2
-
-
40 C
+125
C
单位
民
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
最大
10.5
7
7
6
5.5
12
8.5
8.5
7
6.5
12
6.5
6.5
6.5
5.5
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
传播延迟为Y ;看
图8
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
[3]
t
en
启用时间
OE为Y ;看
图9
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
[4]
t
DIS
禁止时间
OE为Y ;看
图9
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
[5]
C
PD
功耗
电容
每个缓冲区; V
I
= GND到V
CC
输出启用
输出禁用
-
-
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
典型值是在T测
AMB
= 25
C
和V
CC
= 1.8 V， 2.5 V ， 2.7 V ， 3.3 V和5.0 V 。
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
t
en
是相同为T
PZH
和T
PZL
t
DIS
是相同为T
PLZ
和T
PHZ
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
N +
(C
L
V
CC2
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
(C
L
V
CC2
f
o
） =产出的总和。
74LVC1G125
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