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恩智浦半导体
74LVC1G125
总线缓冲器/线路驱动器;三态
14.缩写
表11 。
缩写
CMOS
DUT
ESD
HBM
MM
TTL
缩略语
描述
互补金属氧化物半导体
在测试设备
静电放电
人体模型
机器型号
晶体管 - 晶体管逻辑
15.修订历史记录
表12 。
修订历史
发布日期
20120702
数据表状态
产品数据表
变更通知
-
SUPERSEDES
74LVC1G125第10节
文档ID
74LVC1G125 V.11
莫迪科幻阳离子：
74LVC1G125第10节
莫迪科幻阳离子：
74LVC1G125第9节
74LVC1G125 8节
74LVC1G125 V.7
74LVC1G125第6节
74LVC1G125 V.5
74LVC1G125第4节
74LVC1G125第3节
74LVC1G125第2节
74LVC1G125第1节
补充型号74LVC1G125GX （ SOT1226 ）
SOT886的封装外形图（图
13)
修改。
产品数据表
产品数据表
产品数据表
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产品speci fi cation
产品speci fi cation
产品speci fi cation
产品speci fi cation
产品speci fi cation
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74LVC1G125第9节
74LVC1G125 8节
74LVC1G125 V.7
74LVC1G125第6节
74LVC1G125 V.5
74LVC1G125第4节
74LVC1G125第3节
74LVC1G125第2节
74LVC1G125第1节
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法律的页面更新。
20111207
20101229
20100824
20070830
20060912
20040915
20021118
20020528
20010406
20001222
74LVC1G125
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产品数据表
牧师11日 - 2012年7月2日
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