NID5003N
首选设备
自我保护FET
与温
电流限制
42 V ， 20 A单N沟道， DPAK
HDPlust设备是一种先进的系列功率MOSFET
它采用安森美半导体最新的MOSFET技术工艺
以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积而
结合智能功能。综合热和电流限制
携手合作，提供短路保护。这些器件具有
集成漏极至栅极钳位，使他们能够承受
高能量在雪崩模式。该线夹还提供
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
静电放电（ ESD ）保护功能是通过一个集成提供
栅 - 源钳位。
特点
http://onsemi.com
V
DSS
（夹紧）
42 V
I
D
最大
（有限公司）
20 A*
漏
过压
保护
M
PWR
R
DS （ ON）
典型值
42毫瓦@ 10 V
门
输入
R
G
短路保护/电流限制
与自动重新启动热关断
I
DSS
指定高温
较高的雪崩能量
摆率控制的低噪声开关
过电压钳位保护
ESD保护
温度
极限
当前
极限
当前
SENSE
来源
等级
漏极至源极电压内部钳位
栅极 - 源极电压
漏电流
总功耗
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，
I
L
= 2.6 APK ， L = 120 mH的，R
G
= 25
W)
工作和存储温度范围
（注3）
连续
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
价值
42
"14
单位
VDC
VDC
W
DPAK
CASE 369C
方式2
D5003N
Y
WW
G
=器件代码
=年
=工作周
=无铅器件
1
2
3
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
记号
图
YWW
D
5003NG
内部限制
1.3
2.3
3.0
95
54
400
R
QJC
R
qJA
R
qJA
E
AS
° C / W
1 - 门
2 - 漏
3 =来源
mJ
订购信息
设备
包
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
T
J
, T
英镑
55
to
150
°C
NID5003NT4
NID5003NT4G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在最小焊盘尺寸（ 0.412 “方形） FR4 PCB ， 1盎司立方米。
2.安装在1“方焊盘尺寸（ 1.127 ”方形） FR4 PCB ， 1盎司立方米。
3.正常故障前的工作范围。见热限制范围的条件。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*最大电流可以低于该值不限
根据输入的条件。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
九月， 2008-版本6
1
出版订单号：
NID5003N/D
